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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

2SA1586-GR,LF 

产品描述

TRAN PNP -50V -0.15A USM

内部编号

369-2SA1586-GR-LF

生产厂商

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba

#1

 数量:12072
1+¥1.2065
10+¥1.1303
25+¥1.0312
100+¥0.7417
250+¥0.4369
500+¥0.3626
1000+¥0.2472
最小起订量:1
美国费城
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#2

 数量:6125
1+¥1.2308
10+¥1.053
100+¥0.3692
1000+¥0.253
3000+¥0.1915
24000+¥0.1504
45000+¥0.1299
99000+¥0.1094
最小起订量:1
美国加州
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#3

 数量:16822
最小起订量:1
美国费城
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2SA1586-GR,LF产品详细规格

规格书 2SA1586
2SA1586-GR,LF datasheet 规格书
电流 - 集电极（ Ic）（最大） 150mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 80MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 300mV @ 10mA, 100mA
电流 - 集电极截止（最大） 100nA (ICBO)
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大） 50V
供应商设备封装 USM
封装 Tape & Reel (TR)
功率 - 最大 100mW
封装/外壳 SC-70, SOT-323
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 200 @ 2mA, 6V
其他名称 2SA1586-GRLFTR
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 0.1 V
晶体管极性 PNP
最大功率耗散 100 mW
直流集电极/增益hfe最小值 70
直流电流增益hFE最大值 400
增益带宽产品fT 80 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 50 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 50 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 150 mA
配置 Single
最高工作温度 + 125 C
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
系列 2SA1586
品牌 Toshiba
Pd - Power Dissipation 100 mW

2SA1586-GR,LF系列产品

型号厂家产品描述
2SA1586-GR(T5L,F,T Toshiba Transistors Bipolar - BJT -150mA -50V
2SA1586-GRT5LFT toshiba Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM T/R
2SA1586-Y(T5L,F,T) Toshiba Transistors Bipolar - BJT -150mA -50V
2SA1586-Y(TE85L,F) Toshiba Transistors Bipolar - BJT VCEO - 50V to -150mA HFE 70-400 1dB 10dB
2SA1586-Y,LF Toshiba Semiconductor and Storage TRAN PNP -50V -0.15A USM
2SA1586GRT5LSUMF toshiba Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM T/R
2SA1586GRTE85L,F toshiba Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM T/R
2SA1586SU-GR,LF Toshiba TRANSISTOR PNP 50V 150MA USM
2SA1586SU-Y,LF Toshiba X34 PB-F SOT-323 TRANSISTOR(LF
2SA1586Y(TE85L,F toshiba Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 3-Pin USM T/R

2SA1586-GR,LF也可以通过以下分类找到

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