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Thumbnail GP1S092HCPIF Thumbnail GP1S092HCPIF Thumbnail GP1S092HCPIF
厂商型号:

GP1S092HCPIF

芯天下内部编号:
317-GP1S092HCPIF
生产厂商:

sharp microelectronics

microsemi
描述:
P
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SMT
类型 Transmissive
每个芯片的通道数 1
最大集电极电流 20 mA
最大集电极发射极电压 35 V
最大反向电压 6 V
最大正向电流 50 mA
最大上升时间 150000 ns
最低工作温度 -25 °C
最高工作温度 85 °C
铅表面处理 Tin/Copper
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output
RoHS RoHS Compliant
输出设备 Phototransistor
槽宽 2 mm
光圈宽度为0.5mm 0.3 mm
集电极 - 发射极最大电压VCEO 35 V
正向电流 50 mA
安装风格 SMD/SMT
封装 Reel
下降时间 150 us
功率耗散 100 mW
上升时间 150 us
检测方法 Transmissive, Slotted
工厂包装数量 2000
波长 950 nm
Slit Width 0.3
安装 Surface Mount
Package Width 4.5
PCB 4
最大功率耗散 100
最大正向电流 50
欧盟RoHS指令 Compliant
最大反向电压 6
Maximum Fall Time 150000
最大集电极发射极电压 35
最低工作温度 -25
供应商封装形式 SMT
标准包装名称 SMD
最高工作温度 85
Package Length 2.6
引脚数 4
Gap Width 2
Package Height 2.9
最大集电极电流 20
最大上升时间 150000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 20mA
安装类型 Surface Mount
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 35V
工作温度 -25°C ~ 85°C
感应距离为5mm 0.079" (2mm)
响应时间 50µs, 50µs
电流 - DC正向(If ) 50mA
封装/外壳 4-SMD
其他名称 425-1962-2
输出配置 Phototransistor
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.02 A
集电极 - 发射极电压 35 V
工作温度范围 -25C to 85C
包装类型 SubMiniature SMT
间隙宽度 2 mm
元件数 1
工作温度分类 Commercial
狭缝宽度为0.5mm 0.3 mm
反向击穿电压 6 V
弧度硬化 No
删除 Compliant
集电极电流(DC ) 0.02 A
输出配置 Phototransistor
感应距离 0.079" (2mm)
电压 - 集射极击穿(最大值) 35V
封装/外壳 4-SMD
感应方法 Transmissive
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 20mA
响应时间 50µs, 50µs
输出设备 光电晶体管
典型上升时间 50µs
最高工作温度 +85°C
安装类型 表面安装
高度 2.9mm
最低工作温度 -25°C
工作温度范围 -25 → +85°C
宽度 4.5mm
封装类型 SMD
针数目 4
典型下降时间 50µs
长度 2.6mm
槽宽度 2mm
尺寸 2.6 x 4.5 x 2.9mm
通道数目 1

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