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数量:63 |
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| Rohs | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 20mA |
| 电流 - 暗（ID）（最大值） | 100µA |
| 波长 | 860nm |
| 可视角度 | 70° |
| 功率 - 最大 | 75mW |
| 安装类型 | Through Hole |
| 取向 | Side View |
| 包/盒 | Radial |
| 极性 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Supplier Unconfirmed |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 |
| 最大集电极电流 | 20 |
| 最大上升时间 | 3000(Typ) |
| 峰值波长 | 860 |
| 最大集电极发射极电压 | 35 |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 3500(Typ) |
| 最大暗电流 | 100 |
| 最大光电流 | 3000 |
| 最大的发射极集电极电压 | 6 |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最低工作温度 | -25 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 半强度角度 | 26 |
| 引脚数 | 2 |
| 镜片颜色 | Black |
| 最大功率耗散 | 75 |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100µA |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 20mA |
| 定位 | Side View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| 可视角度 | 70° |
| 功率 - 最大 | 75mW |
| 标准包装 | 50 |
| 波长 | 860nm |
| 其他名称 | 425-1012-5 |
| 封装/外壳 | Radial |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
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