Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大的基射极饱和电压 | 3.5@40mA@10A |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 最小直流电流增益 | 1000@5A@4V|500@10A@4V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| 封装 | Rail |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 10 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@10mA@5A|3@40mA@10A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最低工作温度 | -65 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 125000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 10A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 40mA, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 2mA |
| 标准包装 | 450 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-3P |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 5A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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