Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | No |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 50 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 45 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 增益带宽产品fT | 190 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 at 1 mA at 5 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-92 |
| 连续集电极电流 | - 0.1 A |
| 最大功率耗散 | 450 mW |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Ammo |
| 寿命 | Obsolete |
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