fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| RDS -于 | 63@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 13|5.3 ns |
| 典型上升时间 | 89|34 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22|41 ns |
| 典型下降时间 | 37|50 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 63@10V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 49000 |
| 最大连续漏极电流 | 18 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 18A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-252-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 63 mOhm @ 18A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 49W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 485pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | RFD12N06RLESM9ACT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 17 A |
| 封装/外壳 | TO-252AA |
| 零件号别名 | RFD12N06RLESM9A_NL |
| 下降时间 | 37 ns, 50 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.009184 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 系列 | RFD12N06RLESM |
| RDS（ON） | 75 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 49 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 89 ns, 34 ns |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 6.73mm |
| 典型输入电容值@Vds | 485 pF @ 25 V |
| 系列 | UltraFET |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 2.39mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 75 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 49 W |
| 最大栅源电压 | ±16 V |
| 宽度 | 6.22mm |
| 尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns |
| 典型关断延迟时间 | 22 ns |
| 封装类型 | TO-252 |
| 最大连续漏极电流 | 18 A |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 类型 | MOSFET |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| 长度 | 6.73 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 75 mOhms |
| 身高 | 2.39 mm |
| Pd - Power Dissipation | 49 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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