所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 2T-1 3/4 |
| 类型 | IR Chip |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 最大的发射极集电极电压 | 5 V |
| 峰值波长 | 880 nm |
| 镜片颜色 | Black Transparent |
| 透镜形状类型 | Domed |
| 镜头规格 | 4.95 mm |
| 观看方向 | Top View |
| 半强度角度 | 24 ° |
| 最大上升时间 | 7000(Typ) ns |
| 极性 | NPN |
| 截止滤光片 | Visible Cut-off |
| 标准包装 | Bulk |
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 封装/外壳 | T-1 3/4 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 下降时间 | 7 us |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装 | Bulk |
| 上升时间 | 7 us |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 零件号别名 | QSD123_NL |
| Maximum Light Current | 16000 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.4 |
| 引脚数 | 2 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 7000(Typ) |
| 最大暗电流 | 100 |
| 峰值波长 | 880 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | T-1 3/4 |
| 标准包装名称 | T-1 3/4 |
| 最高工作温度 | 100 |
| 最大的发射极集电极电压 | 5 |
| 半强度角度 | 12 |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 30 |
| Package Height | 8.77 |
| Package Diameter | 6.1(Max) |
| Maximum Collector Current | 25 |
| 最大上升时间 | 7000(Typ) |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 暗( Id)(最大) | 100nA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V |
| 可视角度 | 24° |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 波长 | 880nm |
| 封装/外壳 | T 1 3/4 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 单位重量 | 0.010018 oz |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Wavelength Typ | :880nm |
| 功耗 | :100mW |
| No. of Pins | :2 |
| Input Current Max | :100µA |
| Leaded Process Compatible | :Yes |
| No. of Channels | :1 |
| Operating Temperature Max | :100°C |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85365005 |
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