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Thumbnail QSB363ZR Thumbnail QSB363ZR Thumbnail QSB363ZR
厂商型号:

QSB363ZR

芯天下内部编号:
3-QSB363ZR
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
P
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 2T-3/4
类型 IR Chip
光电晶体管类型 Phototransistor
最大的发射极集电极电压 5 V
最大集电极电流 2 mA
峰值波长 940 nm
镜片颜色 Black Transparent
透镜形状类型 Domed
镜头规格 1.91 mm
观看方向 Top View
半强度角度 24 °
最大上升时间 15000(Typ) ns
极性 NPN
截止滤光片 Visible Cut-off
标准包装 Tape & Reel
产品种类 Phototransistors
RoHS RoHS Compliant
最大功率耗散 75 mW
最大暗电流 100 nA
封装/外壳 T-3/4
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
下降时间 15 us
最高工作温度 + 85 C
最低工作温度 - 25 C
封装 Reel
上升时间 15 us
工厂包装数量 1000
Maximum Light Current 1500(Typ)
最低工作温度 -40
最大集电极发射极饱和电压 0.4
最大功率耗散 75
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的通道数 1
Maximum Fall Time 15000(Typ)
最大暗电流 100
峰值波长 940
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 T-3/4
标准包装名称 T-3/4
最高工作温度 85
最大集电极电流 2
半强度角度 24
引脚数 2
最大的发射极集电极电压 5
最大上升时间 15000(Typ)
电流 - 暗( Id)(最大) 100nA
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2mA
定位 Top View
安装类型 Surface Mount
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
可视角度 24°
功率 - 最大 75mW
波长 940nm
封装/外壳 2-SMD, Z-Bend
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 QSB363ZRCT
系列 QSB363
单位重量 0.003175 oz
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 集电极电压(最大值) 5 V
半强度角 24 deg
功率耗散 0.075 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -25C to 85C
包装类型 T-3/4
暗电流(最大值) 100 nA
光电流 1500 uA
元件数 1
工作温度分类 Commercial
镜头类型 Black Transparent
集电极 - 发射极电压星期六(最大值) 0.4 V
弧度硬化 No
暗电流 100 nA
集电极电流(DC ) 0.002 A
视角 24°
取向 Top View
电流 - 暗 (Id)(最大值) 100nA
封装/外壳 2-SMD, Z-Bend
装配类型 Surface Mount
功率 - 最大值 75mW
波长 940nm
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 2mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
检测频谱 红外
典型上升时间 15µs
频谱范围内的灵敏度 940 nm
高度 3mm
半感光角度 12 °
安装类型 表面安装
宽度 2.2mm
封装类型 超微型
针数目 2
典型下降时间 15µs
长度 2.7mm
通道数目 1
尺寸 2.7 x 2.2 x 3mm
最大暗电流 100nA
检测到的最大波长 940nm
集电极电流 1.5mA

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