fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 2T-1 3/4 |
| 类型 | Reflective |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 波长 | 940 nm |
| 最大集电极电流 | 20 mA |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 最大反向电压 | 5 V |
| 最大正向电流 | 50 mA |
| 最大上升时间 | 8000(Typ) ns |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 铅表面处理 | Matte Tin |
| 标准包装 | Bulk |
| 产品种类 | Infrared Emitters |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 封装 | Bulk |
| 照明颜色 | Infrared |
| 安装风格 | Through Hole |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 寿命 | Obsolete |
| 安装 | Through Hole |
| 引脚数 | 2 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 100 |
| 最大正向电流 | 50 |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大反向电压 | 5 |
| 最大下降时间 | 8000(Typ) |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | T-1 3/4 |
| 标准包装名称 | T-1 3/4 |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| Package Height | 8.77 |
| Package Diameter | 6.1(Max) |
| 最大集电极电流 | 20 |
| 最大上升时间 | 8000(Typ) |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电压 - 正向（Vf ）典型值 | 1.7V |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 辐射强度（le ）最小值@ | 50mW/sr @ 100mA |
| 可视角度 | 18° |
| 电流 - DC正向（If ） | 100mA |
| 封装/外壳 | Radial |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 单位重量 | 0.010032 oz |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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