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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum DC Collector Current | 0.5 |
| 最小直流电流增益 | 20@10mA@1V|15@30mA@0.4V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 最大基地发射极电压 | 3.5 |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 20 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 10 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 400nA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 10V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 10mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.25 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 3.5 V |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 150 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 10 V |
| 单位重量 | 0.007090 oz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 20 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极最大直流电流 | 0.5 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.5 A |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA, 10mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 400nA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 20 @ 10mA, 1V |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 625mW |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 10V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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