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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大门源电压 | -40 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Bulk |
| 最大功率耗散 | 350 |
| Maximum Drain Gate Voltage | 40 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 配置 | Single |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 40V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 80µA @ 10V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 1V @ 1nA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 标准包装 | 2,000 |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3pF @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 40 V |
| 正向跨导 - 闵 | 0.00008 S to 0.00025 S |
| 单位重量 | 0.007090 oz |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 15 mA |
| 栅源截止电压 | - 3 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3pF @ 10V |
| FET 类型 | N-Channel |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 40V |
| 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） | 1V @ 1nA |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss) | 80µA @ 10V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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