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厂商型号:

PN2222ATA

芯天下内部编号:
3-PN2222ATA
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-92
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 40 V
集电极最大直流电流 1 A
最小直流电流增益 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|50@150mA@10V|40@500mA@10V
最大工作频率 300(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@150mA|1@500mA V
最大集电极基极电压 75 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625 mW
安装 Through Hole
标准包装 Ammo Pack
集电极最大直流电流 1
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
Maximum Emitter Base Voltage 6
Maximum Transition Frequency 300(Min)
封装 Ammo
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 75
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 40
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 300MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 50mA, 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 150mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 PN2222ATACT
类别 General Purpose
配置 Single
外形尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
身高 5.33mm
长度 5.2mm
最大的基射极饱和电压 2 V
最大基地发射极电压 6 V
最高工作温度 +150 °C
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-92
宽度 4.19mm
工厂包装数量 2000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
安装风格 Through Hole
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 300
单位重量 0.006279 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
集电极 - 发射极饱和电压 1 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1 A
增益带宽产品fT 300 MHz
系列 PN2222A
集电极 - 基极电压VCBO 75 V
集电极电流( DC)(最大值) 1 A
集电极 - 基极电压 75 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 6 V
频率(最大) 300 MHz
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
元件数 1
直流电流增益(最小值) 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 300 MHz
集电极电流(DC ) 1 A
直流电流增益 35
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :40V
Transition Frequency ft :300MHz
功耗 :625mW
DC Collector Current :1A
DC Current Gain hFE :300
No. of Pins :3
Weight (kg) 0.002
Tariff No. 85412100
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
RF Transistor Case :TO-92
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Gain Bandwidth ft Typ :300MHz
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :Through Hole

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