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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

MOC223M 

产品描述

Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT 8-Pin SOIC N Box

内部编号

3-MOC223M

#1

数量:1300
1+¥1.9844
3000+¥1.9447
5000+¥1.9288
最小起订量:1
阿姆斯特丹
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#2

数量:7664
1+¥3.082
25+¥2.8508
100+¥2.6967
500+¥2.6197
1000+¥2.4656
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

#3

数量:3325
1+¥4.6496
10+¥3.8565
100+¥2.4889
1000+¥1.9898
2500+¥1.6821
10000+¥1.6205
25000+¥1.559
50000+¥1.5316
最小起订量:1
美国加州
当天发货,1-3个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

MOC223M产品详细规格

规格书 MOC223M datasheet 规格书
MOC223M datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
频道数目 1
Input 型 DC
- 隔离电压 2500Vrms
电流传输比(最小值) 500% @ 1mA
电流传输比(最大) -
Voltage - 输出功率 30V
电流 - 输出/通道 150mA
电流 - DC正向(If) 60mA
Vce饱和(最大) 1V
Output 型 Darlington with Base
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
包装材料 Tube
包装 8SOIC N
输出类型 DC
每个芯片的通道数 1
典型正向电压 1.08 V
最大集电极电流 150 mA
最大集电极发射极电压 30 V
最大正向电压 1.3 V
最小绝缘电压 2500 Vrms
最大集电极发射极饱和电压 1000 mV
最大电流传输比@电流 1000(Typ) %
最大输入电流 60 mA
最大功率耗散 250 mW
最大反向电压 6 V
工作温度 -40 to 100 °C
标准包装 Rail / Tube
产品种类 Transistor Output Optocouplers
RoHS RoHS Compliant
输入类型 DC
隔离电压 2500 Vrms
电流传输比 1000 %
最大正向二极管电压 1.3 V
最大输入二极管电流 60 mA
最高工作温度 + 100 C
最低工作温度 - 40 C
封装/外壳 SOIC-8 Narrow
封装 Bulk
最大反向二极管电压 6 V
输出设备 Photodarlington
工厂包装数量 3000
零件号别名 MOC223M_NL
供应商封装形式 SOIC N
标准包装名称 SOIC
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 100
最小绝缘电压 2500
最大正向电压 1.3
最大功率耗散 250
最大输入电流 60
最大反向电压 6
最大集电极发射极电压 30
最大集电极电流 150
最低工作温度 -40
最大集电极发射极饱和电压 1000
最大电流传输比 1000(Typ)
引脚数 8
铅形状 Gull-wing
电流 - 输出/通道 150mA
电流传输比(最小值) 500% @ 1mA
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度(最大) 1V
电压 - 输出 30V
通道数 1
电流 - DC正向(If ) 60mA
电压 - 隔离 2500Vrms
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
单位重量 0.008889 oz
系列 MOC223M
集电极电流( DC)(最大值) 0.15 A
集电极 - 发射极电压 30 V
集电极 - 发射极饱和电压 1 V
功率耗散 0.25 W
安装 Surface Mount
工作温度范围 -40C to 100C
包装类型 SOIC W
元件数 1
工作温度分类 Industrial
正向电压 1.3 V
正向电流 60 mA
反向击穿电压 6 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 0.15 A
Vf - Forward Voltage 1.3 V
宽度 4.16 mm
Vr - Reverse Voltage 6 V
If - Forward Current 60 mA
品牌 Fairchild Semiconductor
配置 1 Channel
长度 5.13 mm
身高 3.43 mm
Pd - Power Dissipation 250 mW

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