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Thumbnail MMBTA63 Thumbnail MMBTA63
厂商型号:

MMBTA63

芯天下内部编号:
3-MMBTA63
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-23
配置 Single
类型 PNP
最大集电极发射极电压 30 V
峰值直流集电极电流 1.2 A
最小直流电流增益 5000@10mA@5V|10000@100mA@5V
最大集电极发射极饱和电压 1.5@0.1mA@100mA V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 SOT-23
标准包装名称 SOT-23
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 30
Maximum Emitter Base Voltage 10
封装 Tape and Reel
最大集电极发射极饱和电压 1.5@0.1mA@100mA
每个芯片的元件数 1
Maximum Collector Base Voltage 30
Maximum Continuous DC Collector Current 1.2
最低工作温度 -55
铅形状 Gull-wing
引脚数 3
Maximum Power Dissipation 350
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.2A
晶体管类型 PNP - Darlington
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 125MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.5V @ 100µA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) 100nA (ICBO)
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 10000 @ 100mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 MMBTA63FSCT
工厂包装数量 3000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 10 V
系列 MMBTA63
直流集电极/增益hfe最小值 5000
集电极最大直流电流 1.2 A
最大集电极截止电流 0.1 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
单位重量 0.002116 oz
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流(DC ) 1.2 A
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 30 V
集电极 - 发射极饱和电压 1.5 V
发射极 - 基极电压 10 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-23
极性 PNP
元件数 1
直流电流增益 5000
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 - 跃迁 125MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 1.5V @ 100µA, 100mA
晶体管类型 PNP - Darlington
电流 - 集电极截止(最大值) 100nA (ICBO)
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 10000 @ 100mA, 5V
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
功率 - 最大值 350mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.2A
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
品牌 Fairchild Semiconductor
身高 0.93 mm
长度 2.92 mm

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