fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 配置 | Single |
| 最大门源电压 | -25 V |
| 最大漏极栅极电压 | 25 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大门源电压 | -25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大功率耗散 | 350 |
| 最大漏极栅极电压 | 25 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 25V |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 2mA @ 15V |
| 供应商设备封装 | SOT-23-3 (TO-236) |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 1V @ 10nA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7pF @ 15V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMBF5458CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | - 25 V |
| 系列 | MMBF5458 |
| 单位重量 | 0.002116 oz |
| 功率耗散 | 350 mW |
| 安装风格 | Through Hole |
| 正向跨导 - 闵 | 0.0015 S to 0.0055 S |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 6 mA to 15 mA |
| 栅源截止电压 | - 7 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅源电压（最大值） | 25 V |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏栅极电压（最大值） | 25 V |
| 弧度硬化 | No |
| 最大漏源电压 | 15 V |
| 长度 | 2.9mm |
| 配置 | 单 |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 高度 | 1.04mm |
| 通道类型 | N |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| Idss 漏-源切断电流 | 2 → 9mA |
| 最大栅源电压 | -25 V |
| 宽度 | 1.3mm |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏门电压 | 25V |
| 尺寸 | 2.9 x 1.3 x 1.04mm |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 150 C |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | - 25 V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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