fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3DPAK |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 峰值直流集电极电流 | 8 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@4A@4V|100@8A@4V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@16mA@4A|4@80mA@8A V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 4.5@80mA@8A |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@16mA@4A|4@80mA@8A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 1750 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 4V @ 80mA, 8A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 功率 - 最大 | 1.75W |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 4A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MJD122TFCT |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 8 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 1000 |
| 工作温度分类 | Military |
| 基射极饱和电压（最大值） | 4.5 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 8 A |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
| 功耗 | :20W |
| DC Collector Current | :8A |
| DC Current Gain hFE | :1000 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-252 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.0003 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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