Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 600 mW |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 封装/外壳 | TO-18 |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 45 V |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装 | Bulk |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 类型 | Phototransistor |
| 寿命 | Obsolete |
| 极性 | NPN |
| Maximum Light Current | 160(Min) |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.4 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 600 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 引脚数 | 3 |
| 最大暗电流 | 100 |
| Peak Wavelength | 940 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 供应商封装形式 | TO-18 |
| 标准包装名称 | TO-206-AA |
| 最高工作温度 | 125 |
| 半强度角度 | 40 |
| 最大集电极发射极电压 | 50 |
| Package Height | 6.48 |
| Package Diameter | 5.31 |
| 最大集电极电流 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V |
| 可视角度 | 80° |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 标准包装 | 500 |
| 波长 | 880nm |
| 封装/外壳 | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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