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厂商型号

KSH112GTM 

产品描述

Transistors Darlington NPN Si Transistor Darlington

内部编号

3-KSH112GTM

#1

数量:427500
1+¥1.2328
25+¥1.1557
100+¥1.1557
500+¥1.0787
1000+¥1.0017
最小起订金额:¥₩600
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KSH112GTM产品详细规格

规格书 KSH112GTM datasheet 规格书
KSH112
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
晶体管类型 NPN - Darlington
- 集电极电流(Ic)(最大) 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 20µA
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 1000 @ 2A, 3V
功率 - 最大 1.75W
频率转换 25MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大的基射极饱和电压 4@40mA@4A
安装 Surface Mount
最大集电极发射极饱和电压 2@8mA@2A|3@40mA@4A
包装宽度 6.1
PCB 2
最大功率耗散 1750
类型 NPN
欧盟RoHS指令 Compliant
引脚数 3
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 100
最低工作温度 -65
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
Maximum Continuous DC Collector Current 2
包装长度 6.6
最大集电极发射极电压 100
最小直流电流增益 200@4A@3V|500@500mA@3V|1000@2A@3V
包装高度 2.3
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 25MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 3V @ 40mA, 4A
电流 - 集电极截止(最大) 20µA
标准包装 2,500
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 100V
供应商设备封装 D-Pak
功率 - 最大 1.75W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 1000 @ 2A, 3V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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