fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 60@500mA@5V |
| 最大工作频率 | 3(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.3A@3A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 30000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 30000 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 |
| Maximum Transition Frequency | 3(Typ) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 300mA, 3A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 60 @ 500mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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