Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | MOSFET |
| RoHS | No |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 55 V |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 100 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 0.008 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 70 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 175 W |
| 上升时间 | 100 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 寿命 | Obsolete |
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