Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 600 V |
| 源极击穿电压 | +/- 30 V |
| 连续漏极电流 | 1.6 A |
| 抗漏源极RDS （ ON） | 4.7 Ohms |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220F |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 25 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 28 W |
| 上升时间 | 25 ns |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 零件号别名 | FQPF2N60_NL |
| 寿命 | Obsolete |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 600V |
| 标准包装 | 1,000 |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4.7 Ohm @ 800mA, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 28W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 350pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11nC @ 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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