Main Image
Thumbnail FQD7P06TF Thumbnail FQD7P06TF
厂商型号:

FQD7P06TF

芯天下内部编号:
3-FQD7P06TF
生产厂商:

Fairchild Semiconductor

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 P-Channel
漏源击穿电压 - 60 V
源极击穿电压 +/- 25 V
连续漏极电流 - 5.4 A
抗漏源极RDS ( ON) 0.45 Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 TO-252
封装 Reel
下降时间 25 ns
正向跨导gFS (最大值/最小值) 3.8 S
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 2.5 W
上升时间 50 ns
工厂包装数量 2000
典型关闭延迟时间 7.5 ns
零件号别名 FQD7P06TF_NL
寿命 Obsolete
最大门源电压 ±25
安装 Surface Mount
包装宽度 6.22(Max)
PCB 2
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 60
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 451@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
渠道类型 P
包装长度 6.73(Max)
引脚数 3
通道模式 Enhancement
包装高度 2.39(Max)
最大连续漏极电流 5.4
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 5.4A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 60V
标准包装 2,000
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 451 mOhm @ 2.7A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
输入电容(Ciss ) @ VDS 295pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8.2nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

Documents & Media

RESOURCE TYPE LINK
Datasheets
PDF PDF
库存: 0
库存获取中,请稍候....
输入数量
定价(所有价格均为人民币含税价)
专业客服, 优质服务,更高效率

咨询QQ

热线电话

北京
010-82149008
010-57196138
010-62155488
010-82149028
010-62110889
010-56429953
010-82149921
010-82149488
010-82149466
010-62178861
010-62153988
010-82138869
深圳
0755-83997440
0755-83975736
0755-83247615
0755-82511472
苏州
0512-67684200
0512-67483580
0512-68796728
0512-67683728
0512-67687578
传真
010-62178897;
0755-83995470;
邮件
rfq@oneic.com
免费技术支持 >
无论您是从线下下单还是从芯天下网站上下单,我们都致力于为您提供免费的技术支持服务
支持