fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4PDIP Black |
| 输出类型 | DC |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 典型正向电压 | 1.35 V |
| 最大集电极发射极电压 | 70 V |
| 最大上升时间 | 18 us |
| 最大正向电压 | 1.65 V |
| 最小绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 400 mV |
| 最大电流传输比@电流 | 200 % |
| 最大输入电流 | 50 mA |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大反向电压 | 6 V |
| 工作温度 | -55 to 110 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输入类型 | DC |
| 隔离电压 | 5000 Vrms |
| 电流传输比 | 200 % |
| 最大正向二极管电压 | 1.65 V |
| 最大输入二极管电流 | 50 mA |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最高工作温度 | + 110 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | PDIP-4 |
| 系列 | FOD617 |
| 封装 | Bulk |
| 最大下降时间 | 18 us |
| 最大反向二极管电压 | 6 V |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 寿命 | Obsolete |
| 最大输入电流 | 50 |
| 最小绝缘电压 | 5000 |
| 最大下降时间 | 18 |
| 最大功率耗散 | 200 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 400 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大反向电压 | 6 |
| 最大集电极发射极电压 | 70 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | PDIP Black |
| 标准包装名称 | PDIP |
| 最高工作温度 | 110 |
| 最大上升时间 | 18 |
| 最大正向电压 | 1.65 |
| 引脚数 | 4 |
| Maximum Current Transfer Ratio | 200 |
| 最大集电极电流 | 50 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最小值） | 34% @ 1mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流传输比（最大） | 200% @ 10mA |
| 下的Vce饱和度（最大） | 400mV |
| 电压 - 输出 | 70V |
| 通道数 | 1 |
| 电流 - DC正向（If ） | 50mA |
| 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| No. of Channels | :1 |
| Optocoupler Output Type | :Phototransistor |
| 输入电流 | :20mA |
| 输出电压 | :70V |
| Opto Case Style | :DIP |
| No. of Pins | :4 |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :70V |
| Current Transfer Ratio Max | :200% |
| Current Transfer Ratio Min | :100% |
| Fall Time tf | :3µs |
| Operating Temperature Max | :110°C |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| 工作温度范围 | :-55°C to +110°C |
| 上升时间 | :4µs |
| Weight (kg) | 0.000833 |
| Tariff No. | 85414090 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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