Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 集电极最大直流电流 | 12 |
| 最小直流电流增益 | 6@8A@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 50000 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 9 |
| Maximum Transition Frequency | 4(Min) |
| 封装 | Tube |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 700 |
| 供应商封装形式 | TO-220F |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 400 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 12A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 4MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 3A, 12A |
| 标准包装 | 50 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 8 @ 5A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 9 V |
| 零件号别名 | FJPF13009TU_NL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 8 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 40 |
| 单位重量 | 0.080072 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极最大直流电流 | 12 A |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 连续集电极电流 | 12 A |
| 增益带宽产品fT | 4 MHz |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 700 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 频率 - 跃迁 | 4MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 3V @ 3A, 12A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 8 @ 5A, 5V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 12A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 400V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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