Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 1A, 3.5A |
| 标准包装 | 800 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 400V |
| 供应商设备封装 | TO-263 (D2Pak) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 1.6W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 20 @ 800mA, 3V |
| 其他名称 | FJB5555TMFSCT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power NPN Transistor |
| 配置 | Single |
| 外形尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 身高 | 4.83mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 最大的基射极饱和电压 | 1.2 V |
| 最大集电极基极电压 | 1050 V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 最大集电极发射极电压 | 400 V |
| 集电极最大直流电流 | 5 A |
| 最大基地发射极电压 | 14 V |
| 最大工作频率 | 1 MHz |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 最小直流电流增益 | 20 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | D2PAK |
| 引脚数 | 3 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 14 V |
| 系列 | FJB5555 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 10 A |
| 单位重量 | 0.046296 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 400 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最高工作频率 | 1 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 5 A |
| 长度 | 10.67mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 高度 | 4.83mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 1.2 V |
| 最大功率耗散 | 100 W |
| 宽度 | 9.65mm |
| 封装类型 | D2PAK |
| 最大集电极-发射极电压 | 400 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 20 |
| 尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 14 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | 1050 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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