所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 集电极最大直流电流 | 10 |
| 最小直流电流增益 | 50@3A@4V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-3P |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 100000 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| Maximum Transition Frequency | 30(Typ) |
| 封装 | Rail |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 200 |
| 供应商封装形式 | TO-3P |
| 最大集电极发射极电压 | 140 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 10A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 30MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 500mV @ 500mA, 5A |
| 标准包装 | 30 |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 140V |
| 供应商设备封装 | TO-3PN |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 封装/外壳 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 50 @ 3A, 4V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
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