Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | TO-220F |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20 |
| Maximum Continuous Collector Current | 14 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 最大功率耗散 | 45000 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 24nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 14A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 标准包装 | 50 |
| 开关能量 | 4.07mJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 105ns/420ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2V @ 15V, 7A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220F |
| 反向恢复时间（trr ） | 50ns |
| 功率 - 最大 | 45W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| 测试条件 | 300V, 7A, 470 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 21A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 连续集电极电流Ic最大 | 14 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 45 W |
| 最大栅极发射极电压 | +/- 20 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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