fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-247 |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 80 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-247 |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 |
| 最大连续集电极电流 | 80 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Width | 4.7 |
| 标准包装名称 | TO-247 |
| Package Height | 20.6 |
| 最大功率耗散 | 290000 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 标签 | Tab |
| PCB | 3 |
| Package Length | 15.6 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 120nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 80A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 1.52mJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 21ns/126ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.4V @ 15V, 40A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-247 |
| 反向恢复时间（trr ） | 36ns |
| 功率 - 最大 | 290W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| IGBT类型 | Field Stop |
| 测试条件 | 400V, 40A, 10 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 160A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 外形尺寸 | 15.6 x 4.7 x 20.6mm |
| 身高 | 20.6mm |
| 长度 | 15.6mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 290 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-247 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 工厂包装数量 | 150 |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 连续集电极电流Ic最大 | 80 A |
| 系列 | FGH80N60FD |
| 单位重量 | 0.225401 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 80 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 600 V |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 80 A |
| DC Collector Current | :80A |
| Collector Emitter Voltage Vces | :600V |
| 功耗 | :290W |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :600V |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-247AB |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Power Dissipation Max | :290W |
| 晶体管类型 | :IGBT |
| Weight (kg) | 0.00542 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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