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厂商型号:

FDZ661PZ

芯天下内部编号:
3-FDZ661PZ
生产厂商:

Fairchild Semiconductor

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
FET特点 Logic Level Gate, 1.5V Drive
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 2.6A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.2V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
供应商设备封装 4-WLCSP (0.80x0.80)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 140 mOhm @ 2A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 400mW
标准包装 5,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 555pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8.8nC @ 4.5V
封装/外壳 4-XFBGA, WLCSP
其他名称 FDZ661PZCT
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 5000
晶体管极性 P-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 - 2.6 A
系列 FDZ661PZ
单位重量 0.002363 oz
RDS(ON) 140 mOhms
功率耗散 1.3 W
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 WLCSP
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 - 20 V
RoHS RoHS Compliant
安装类型 表面贴装
晶体管材料 Si
长度 0.8mm
典型输入电容值@Vds 416 pF@ -10 V
系列 PowerTrench
通道模式 增强
高度 0.15mm
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 315 mΩ
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
通道类型 P
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 1.3 W
最大栅源电压 ±8 V
宽度 0.8mm
尺寸 0.8 x 0.8 x 0.15mm
最小栅阈值电压 0.3V
最大漏源电压 20 V
典型接通延迟时间 4.9 ns
典型关断延迟时间 68 ns
封装类型 WLCSP
最大连续漏极电流 2.6 A
引脚数目 4
晶体管配置
典型栅极电荷@Vgs 6.3 nC @ 4.5 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 20 V
品牌 Fairchild Semiconductor
Id - Continuous Drain Current - 2.6 A
Pd - Power Dissipation 1.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V
商品名 PowerTrench
Rds On - Drain-Source Resistance 140 mOhms
技术 Si

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