所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
Type | Description |
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FET特点 | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 2.6A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
供应商设备封装 | 4-WLCSP (0.80x0.80) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 140 mOhm @ 2A, 4.5V |
FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 400mW |
标准包装 | 5,000 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 555pF @ 10V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 8.8nC @ 4.5V |
封装/外壳 | 4-XFBGA, WLCSP |
其他名称 | FDZ661PZCT |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最低工作温度 | - 55 C |
源极击穿电压 | +/- 8 V |
连续漏极电流 | - 2.6 A |
系列 | FDZ661PZ |
单位重量 | 0.002363 oz |
RDS(ON) | 140 mOhms |
功率耗散 | 1.3 W |
安装风格 | SMD/SMT |
封装/外壳 | WLCSP |
最高工作温度 | + 150 C |
漏源击穿电压 | - 20 V |
RoHS | RoHS Compliant |
安装类型 | 表面贴装 |
晶体管材料 | Si |
长度 | 0.8mm |
典型输入电容值@Vds | 416 pF@ -10 V |
系列 | PowerTrench |
通道模式 | 增强 |
高度 | 0.15mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最大漏源电阻值 | 315 mΩ |
Board Level Components | Y |
最高工作温度 | +150 °C |
通道类型 | P |
最低工作温度 | -55 °C |
最大功率耗散 | 1.3 W |
最大栅源电压 | ±8 V |
宽度 | 0.8mm |
尺寸 | 0.8 x 0.8 x 0.15mm |
最小栅阈值电压 | 0.3V |
最大漏源电压 | 20 V |
典型接通延迟时间 | 4.9 ns |
典型关断延迟时间 | 68 ns |
封装类型 | WLCSP |
最大连续漏极电流 | 2.6 A |
引脚数目 | 4 |
晶体管配置 | 单 |
典型栅极电荷@Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 20 V |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | - 2.6 A |
Pd - Power Dissipation | 1.3 W |
Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
商品名 | PowerTrench |
Rds On - Drain-Source Resistance | 140 mOhms |
技术 | Si |
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