fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.5@Q 1|7.9@Q 2 A |
| RDS -于 | 29@10V@Q 1|20@10V@Q 2 mOhm |
| 最大门源电压 | ±16@Q 1|±20@Q 2 V |
| 典型导通延迟时间 | 10@Q 1|9@Q 2|11@Q 2 ns |
| 典型上升时间 | 9@Q 1|4@Q 1|15@Q 2|6@Q 2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 24@Q 1|13@Q 1|25@Q 2|15@Q 2 ns |
| 典型下降时间 | 3@Q 1|6|4@Q 1|@Q 2 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16@Q 1|±20@Q 2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 29@10V@Q 1|20@10V@Q 2 |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 2000 |
| 最大连续漏极电流 | 6.5@Q 1|7.9@Q 2 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.5A, 7.9A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 29 mOhm @ 6.5A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 720pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 17nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDS6986ASCT |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 5 x 3.99 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.02 (Transistor 2) Ω, 0.029 (Transistor 1) Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 2 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 典型栅极电荷@ VGS | 10 nC @ 10 V (Transistor 2), 12 nC @ 10 V (Transistor 1) |
| 典型输入电容@ VDS | 550 pF @ 10 V (Transistor 2), 720 pF @ 10 V (Transistor 1) |
| 宽度 | 3.99mm |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 6.5 A, 7.9 A |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 零件号别名 | FDS6986AS_NL |
| 下降时间 | 3 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.006596 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 25 S, 15 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V, +/- 20 V |
| 系列 | FDS6986AS |
| RDS（ON） | 20 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 2 W |
| 上升时间 | 9 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 漏极电流（最大值） | 6.5@Q1/7.9@Q2 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 高度 | 1.5mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 550 pF@ 10 V, 720 pF@ 10 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ，29 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 最大栅源电压 | ±16（晶体管 1）V，±20（晶体管 2）V |
| 宽度 | 3.99mm |
| 尺寸 | 5 x 3.99 x 1.5mm |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 10 (Q1) ns, 11 (Q2) ns |
| 典型关断延迟时间 | 24 ns, 25 ns |
| 封装类型 | SOIC |
| 最大连续漏极电流 | 6.5 A，7.9 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 nC @ 10 V（晶体管 2），12 nC @ 10 V（晶体管 1） |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V, 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | PowerTrench SyncFET |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 6.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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