fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC N |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大连续漏极电流 | 6.9 A |
| RDS -于 | 22@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±25 V |
| 典型导通延迟时间 | 12 ns |
| 典型上升时间 | 13 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 典型下降时间 | 38 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最低工作温度 | -55 |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 22@10V |
| 最大漏源电压 | 30 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 供应商封装形式 | SOIC N |
| 最大功率耗散 | 1600 |
| 最大连续漏极电流 | 6.9 |
| 引脚数 | 8 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6.9A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 22 mOhm @ 6.9A, 10V |
| FET型 | 2 P-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 900mW |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1360pF @ 15V |
| 其他名称 | FDS4935BZTR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 40nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual, Dual Drain |
| 外形尺寸 | 5 x 4 x 1.5mm |
| 身高 | 1.5mm |
| 长度 | 5mm |
| 最大漏源电阻 | 0.022 Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 1.6 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SOIC N |
| 典型栅极电荷@ VGS | 29 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1360 pF V @ 15 |
| 宽度 | 4mm |
| 漏极电流（最大值） | 6.9 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �25 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 功率耗散 | 1.6 W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.022 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 30 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| 连续漏极电流 | 6.9 A |
| 晶体管极性 | :Dual P Channel |
| Continuous Drain Current Id | :-6.9A |
| Drain Source Voltage Vds | :-30V |
| On Resistance Rds(on) | :0.018ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :-10V |
| Threshold Voltage Vgs | :-1.9V |
| 功耗 | :1.6W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOIC |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.005 |
| Tariff No. | 85411000 |
| Capacitance Ciss Typ | :1360pF |
| Continuous Drain Current Id, P Channel | :-6.9A |
| Current Id Max | :-6.9A |
| Drain Source Voltage Vds, P Channel | :-30V |
| Module Configuration | :Dual |
| On Resistance Rds(on), P Channel | :0.018ohm |
| On State Resistance Max | :22mohm |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 引脚配置 | :D1(5,6), D2(7,8), G1(4), S1(3), G2(2), S2(1) |
| Pulse Current Idm | :50A |
| 端接类型 | :SMD |
| Voltage Vds Typ | :-30V |
| Voltage Vgs Max | :25V |
| Voltage Vgs Rds on Measurement | :-10V |
| Voltage Vgs th Max | :-3V |
| Voltage Vgs th Min | :-1V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
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