Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 13.2 A |
| 正向跨导 - 闵 | 45 S |
| RDS（ON） | 7.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装/外壳 | SOIC-8 Narrow |
| 典型关闭延迟时间 | 41 ns |
| 上升时间 | 12 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 40 V |
| RoHS | No |
| 下降时间 | 29 ns |
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