Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 28A (Ta), 116A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | Power56 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 2 mOhm @ 28A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2.5W |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 5315pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 88nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 其他名称 | FDMS8820CT |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 116 A |
| 系列 | FDMS8820 |
| 封装/外壳 | Power-56 |
| 单位重量 | 0.003175 oz |
| RDS（ON） | 2.4 mOhms |
| 功率耗散 | 78 W |
| 下降时间 | 13 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导 - 闵 | 76 S |
| 典型关闭延迟时间 | 66 ns |
| 上升时间 | 16 ns |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 栅极电荷Qg | 88 nC |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 28A (Ta), 116A (Tc) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 5mm |
| 典型输入电容值@Vds | 3995 pF @ 15 |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1.05mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 2.8 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 78 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 6mm |
| 尺寸 | 5 x 6 x 1.05mm |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 典型接通延迟时间 | 14 ns |
| 典型关断延迟时间 | 41 ns |
| 封装类型 | Power 56 |
| 最大连续漏极电流 | 116 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 30 nC @ 4.5 V，63 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 88 nC |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 商品名 | PowerTrench |
| Id - Continuous Drain Current | 116 A |
| 长度 | 6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 2.4 mOhms |
| 通道模式 | Enhancement |
| 身高 | 1.1 mm |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| Pd - Power Dissipation | 78 W |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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