所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | P |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 22@4.5V |
| 最大漏源电压 | 12 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | MicroFET |
| 最大功率耗散 | 2100 |
| 最大连续漏极电流 | 8 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 8A (Ta) |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 供应商设备封装 | MicroFet 1.6x1.6 |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 22 mOhm @ 8A, 4.5V |
| FET型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 700mW |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 2315pF @ 6V |
| 其他名称 | FDME905PTFSTR |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 20nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-WDFN Exposed Pad |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| 系列 | FDME905PT |
| 单位重量 | 0.001058 oz |
| RDS(ON) | 22 mOhms |
| 功率耗散 | 0.7 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | MicroFET 1.6 x 1.6 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 12 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 1.6mm |
| 典型输入电容值@Vds | 1740 pF @ -6 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 0.5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 97 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | P |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 2.1 W |
| 最大栅源电压 | ±8 V |
| 宽度 | 1.6mm |
| 尺寸 | 1.6 x 1.6 x 0.5mm |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V |
| 最大漏源电压 | 12 V |
| 典型接通延迟时间 | 9.5 ns |
| 典型关断延迟时间 | 90 ns |
| 封装类型 | MLP |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 12 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | - 8 A |
| 长度 | 1.6 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22 mOhms |
| 身高 | 0.55 mm |
| Pd - Power Dissipation | 700 mW |
| 技术 | Si |
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