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厂商型号:

FDME905PT

芯天下内部编号:
3-FDME905PT
生产厂商:

Fairchild Semiconductor

microsemi
描述:
M
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
最低工作温度 -55
渠道类型 P
封装 Tape and Reel
Maximum Drain Source Resistance 22@4.5V
最大漏源电压 12
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 MicroFET
最大功率耗散 2100
最大连续漏极电流 8
引脚数 6
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 8A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 12V
供应商设备封装 MicroFet 1.6x1.6
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 22 mOhm @ 8A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 700mW
标准包装 5,000
输入电容(Ciss ) @ VDS 2315pF @ 6V
其他名称 FDME905PTFSTR
闸电荷(Qg ) @ VGS 20nC @ 4.5V
封装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 5000
晶体管极性 P-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 +/- 8 V
连续漏极电流 8 A
系列 FDME905PT
单位重量 0.001058 oz
RDS(ON) 22 mOhms
功率耗散 0.7 W
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 MicroFET 1.6 x 1.6
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 12 V
RoHS RoHS Compliant
安装类型 表面贴装
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 1.6mm
典型输入电容值@Vds 1740 pF @ -6 V
系列 PowerTrench
通道模式 增强
高度 0.5mm
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 97 mΩ
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
通道类型 P
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 2.1 W
最大栅源电压 ±8 V
宽度 1.6mm
尺寸 1.6 x 1.6 x 0.5mm
最小栅阈值电压 0.4V
最大漏源电压 12 V
典型接通延迟时间 9.5 ns
典型关断延迟时间 90 ns
封装类型 MLP
最大连续漏极电流 8 A
引脚数目 6
晶体管配置
典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 4.5 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage - 12 V
Vgs - Gate-Source Voltage 8 V
品牌 Fairchild Semiconductor
通道数 1 Channel
商品名 PowerTrench
晶体管类型 1 P-Channel
Id - Continuous Drain Current - 8 A
长度 1.6 mm
Rds On - Drain-Source Resistance 22 mOhms
身高 0.55 mm
Pd - Power Dissipation 700 mW
技术 Si

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