fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 6SC-70 |
| 渠道类型 | N|P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 最大连续漏极电流 | 0.22@N Channel|0.41@P Channel A |
| RDS -于 | 4000@4.5V@N Channel|1100@4.5V@P Channel mOhm |
| 最大门源电压 | 8 V |
| 典型导通延迟时间 | 5@N Channel|7@P Channel ns |
| 典型上升时间 | 4.5@N Channel|8@P Channel ns |
| 典型关闭延迟时间 | 4@N Channel|55@P Channel ns |
| 典型下降时间 | 3.2@N Channel|35@P Channel ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 标准包装 | Cut Tape |
| 最大门源电压 | 8 |
| 包装宽度 | 1.25 |
| PCB | 6 |
| 最大功率耗散 | 300 |
| 最大漏源电压 | 25 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 4000@4.5V@N Channel|1100@4.5V@P C... |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | SC-70 |
| 标准包装名称 | SOT-323 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 2 |
| 引脚数 | 6 |
| 包装高度 | 1(Max) |
| 最大连续漏极电流 | 0.22@N Channel|0.41@P Channel |
| 封装 | Tape and Reel |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 220mA, 410mA |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 1.5V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | SC-70-6 |
| 其他名称 | FDG6322CTR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 4 Ohm @ 220mA, 4.5V |
| FET型 | N and P-Channel |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 25V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 9.5pF @ 10V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 0.4nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Small Signal |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 2 x 1.25 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 2mm |
| 最大漏源电阻 | 1.9 (P-Channel) Ω, 7 (N-Channel) Ω |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.3 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SC-70-6 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 0.29 nC @ 4.5 V (N-Channel), 1.1 nC @ -5 V (P-Channel) |
| 典型输入电容@ VDS | 62 pF @ -10 V (P-Channel), 9.5 pF @ 10 V (N-Channel) |
| 宽度 | 1.25mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 连续漏极电流 | + 0.22 A, - 0.41 A |
| 封装/外壳 | SC-70-6 |
| 零件号别名 | FDG6322C_NL |
| 下降时间 | 4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.000988 oz |
| 正向跨导 - 闵 | 0.2 S, 0.9 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | +/- 8 V |
| 系列 | FDG6322C |
| RDS（ON） | 4 Ohms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 0.3 W |
| 上升时间 | 4.5 ns at N Channel, 8 ns at P Channel |
| 漏源击穿电压 | +/- 25 V |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | 8 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 极性 | N/P |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 25 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :220mA |
| Drain Source Voltage Vds | :25V |
| On Resistance Rds(on) | :2.6ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :4.5V |
| Threshold Voltage Vgs | :850mV |
| 功耗 | :300mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SC-70 |
| No. of Pins | :6 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (16-Dec-2013) |
| Weight (kg) | 0.0005 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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