fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-252 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 500 V |
| 最大连续漏极电流 | 6 A |
| RDS -于 | 900@10V mOhm |
| 最大门源电压 | ±30 V |
| 典型导通延迟时间 | 6 ns |
| 典型上升时间 | 55 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 典型下降时间 | 35 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| Maximum Drain Source Resistance | 900@10V |
| 最大漏源电压 | 500 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-252 |
| 最大功率耗散 | 89000 |
| 最大连续漏极电流 | 6 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 6A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 500V |
| 供应商设备封装 | D-Pak |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 900 mOhm @ 3A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 89W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 940pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 16.6nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FDD6N50TM_WSCT |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| 下降时间 | 35 ns |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| 长度 | 6.73 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 760 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | FDD6N50 |
| 身高 | 2.39 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 89 W |
| 上升时间 | 55 ns |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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