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Thumbnail FDD306P Thumbnail FDD306P Thumbnail FDD306P Thumbnail FDD306P Thumbnail FDD306P Thumbnail FDD306P
厂商型号:

FDD306P

芯天下内部编号:
3-FDD306P
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-252AA
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 12 V
最大连续漏极电流 6.7 A
RDS -于 28@4.5V mOhm
最大门源电压 ±8 V
典型导通延迟时间 16 ns
典型上升时间 8 ns
典型关闭延迟时间 34 ns
典型下降时间 41 ns
工作温度 -55 to 175 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±8
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
标准包装名称 DPAK
最低工作温度 -55
封装 Tape and Reel
Maximum Drain Source Resistance 28@4.5V
最大漏源电压 12
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-252AA
最大功率耗散 52000
最大连续漏极电流 6.7
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate, 1.8V Drive
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 6.7A
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 12V
供应商设备封装 TO-252-3
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 28 mOhm @ 6.7A, 4.5V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.6W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1290pF @ 6V
闸电荷(Qg ) @ VGS 21nC @ 4.5V
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FDD306PCT
类别 Power MOSFET
外形尺寸 6.73 x 6.22 x 2.39mm
身高 2.39mm
长度 6.73mm
最大漏源电阻 90 mΩ
最高工作温度 +175 °C
最大功率耗散 52 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 TO-252
典型栅极电荷@ VGS 15 nC V @ -4.5
典型输入电容@ VDS 1290 pF V @ -6
宽度 6.22mm
工厂包装数量 2500
晶体管极性 P-Channel
连续漏极电流 6.7 A
封装/外壳 TO-252AA
零件号别名 FDD306P_NL
下降时间 41 ns
产品种类 MOSFET
单位重量 0.009184 oz
配置 Single
RoHS RoHS Compliant By Exemption
源极击穿电压 +/- 8 V
系列 FDD306P
RDS(ON) 28 mOhms
安装风格 SMD/SMT
功率耗散 52 W
上升时间 8 ns
漏源击穿电压 - 12 V
Continuous Drain Current Id :6.7A
Drain Source Voltage Vds :12V
On Resistance Rds(on) :90mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-4.5V
Threshold Voltage Vgs :-500mV
功耗 :52W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Transistor Case Style :TO-252
No. of Pins :3
MSL :-
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Alternate Case Style :D-PAK
Current Id Max :-6.7A
工作温度范围 :-55°C to +175°C
Pulse Current Idm :54A
Voltage Vds Typ :-12V
Voltage Vgs Max :-8V
Voltage Vgs Rds on Measurement :-4.5V
Weight (kg) 0.003
Tariff No. 85412900

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