Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 最大门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 1(Max) |
| 安装 | Surface Mount |
| 最大功率耗散 | 960 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 350@10V |
| 最大漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 2 |
| Package Width | 1.7(Max) |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| Package Length | 3(Max) |
| PCB | 6 |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 |
| 引脚数 | 6 |
| FET特点 | Standard |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.2A |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 350 mOhm @ 1.2A, 10V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 690mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 70pF @ 50V |
| 其他名称 | FDC8602TR |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 2nC @ 10V |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual |
| 外形尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm |
| 身高 | 1mm |
| 长度 | 3mm |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 A |
| 最大漏源电阻 | 600 mΩ |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 0.96 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | SSOT |
| 典型栅极电荷@ VGS | 1.2 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 53 pF V @ 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 5.4 ns |
| 典型导通延迟时间 | 3.5 ns |
| 宽度 | 1.7mm |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 1.2 A |
| 系列 | FDC8602 |
| 单位重量 | 0.001270 oz |
| RDS（ON） | 350 mOhms |
| 功率耗散 | 0.69 W |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SSOT-6 |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 3mm |
| 典型输入电容值@Vds | 53 pF @ 50 V |
| 系列 | PowerTrench |
| 通道模式 | 增强 |
| 高度 | 1mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 0.96 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 1.7mm |
| 尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 典型接通延迟时间 | 3.5 ns |
| 典型关断延迟时间 | 5.4 ns |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 最大连续漏极电流 | 1.2 A |
| 引脚数目 | 6 |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.2 nC @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 2 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 2 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 1.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 690 mW |
| 技术 | Si |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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