所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
Type | Description |
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包装 | 3TO-220AB |
类型 | PNP |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 60 V |
集电极最大直流电流 | 8 A |
最小直流电流增益 | 60@2A@1V|40@4A@1V |
最大工作频率 | 40(Min) MHz |
最大集电极发射极饱和电压 | 1@0.4A@8A V |
工作温度 | -55 to 150 °C |
最大功率耗散 | 60000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
集电极最大直流电流 | 8 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | TO-220 |
最低工作温度 | -55 |
Maximum Transition Frequency | 40(Min) |
封装 | Rail |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大功率耗散 | 60000 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
最大集电极发射极电压 | 60 |
铅形状 | Through Hole |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 8A |
晶体管类型 | PNP |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 40MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 1V @ 400mA, 8A |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
供应商设备封装 | TO-220 |
功率 - 最大 | 60W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 40 @ 4A, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | PNP |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
单位重量 | 0.063493 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 8 A |
增益带宽产品fT | 40 MHz |
系列 | D45H8 |
集电极 - 基极电压VCBO | - 5 V |
最低工作温度 | - 55 C |
集电极电流( DC)(最大值) | 8 A |
集电极 - 发射极电压 | 60 V |
频率(最大) | 40 MHz |
功率耗散 | 60 W |
工作温度范围 | -55C to 150C |
包装类型 | TO-220AB |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 60 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
频率 | 40 MHz |
集电极电流(DC ) | 8 A |
直流电流增益 | 60 |
Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
Transition Frequency ft | :40MHz |
功耗 | :60W |
DC Collector Current | :8A |
DC Current Gain hFE | :60 |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-220 |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
Collector Emitter Voltage Vces | :1V |
Current Ic Continuous a Max | :8A |
Gain Bandwidth ft Typ | :40MHz |
Hfe Min | :40 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
端接类型 | :Through Hole |
Weight (kg) | 0.00204 |
Tariff No. | 85412900 |
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