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厂商型号:

BZX79C5V6TR

芯天下内部编号:
3-BZX79C5V6TR
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
D
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 2DO-35
配置 Single
标称齐纳电压 5.6 V
齐纳电压容差 5 %
最大功率耗散 500 mW
最大反向漏泄电流 1 uA
典型电压温度系数 0.25 mV/°C
工作温度 -65 to 200 °C
安装 Through Hole
标准包装 Tape & Reel
供应商封装形式 DO-35
标准包装名称 DO-204-AH
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 200
Maximum Zener Impedance 40
最大反向漏泄电流 1
Package Diameter 1.91(Max)
ESD保护 No
封装 Tape and Reel
标称齐纳电压 5.6
最大功率耗散 500
PCB 2
Package Length 4.56(Max)
最低工作温度 -65
测试电流 5
引脚数 2
铅形状 Through Hole
电流 - Vr时反向漏电 1µA @ 2V
电压 - 齐纳(额定值)(Vz ) 5.6V
电压 - 正向(Vf) (最大) 1.5V @ 100mA
供应商设备封装 DO-35
功率 - 最大 500mW
阻抗(最大值)(Zzt ) 40 Ohm
安装类型 Through Hole
容差 ±7%
封装/外壳 DO-204AH, DO-35, Axial
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 5000
产品种类 Zener Diodes
齐纳电流 5 mA
齐纳电压 5.6 V
最大齐纳阻抗 40 Ohms
系列 BZX79C5V6
电压温度系数 0.25 mV/C
单位重量 0.004445 oz
电压容差 5 %
功率耗散 500 mW
安装风格 Through Hole
封装/外壳 DO-35
最高工作温度 + 200 C
最低工作温度 - 65 C
RoHS RoHS Compliant
其他名称 BZX79C5V6TRCT
封装类型 DO-35
齐纳电压容差 5%
典型电压温度系数 -2 → 2.5mV/°C
额定齐纳电压 5.6V
安装类型 通孔
最大反向漏电流 1µA
最低工作温度 -65 °C
Board Level Components Y
最大功率耗散 500 mW
尺寸 1.91 (Dia.) x 4.56mm
每片芯片元件数目 1
引脚数目 2
最高工作温度 +200 °C
长度 4.56mm
齐纳类型 稳压器
最大齐纳阻抗 40Ω
直径 1.91mm
二极管配置 单路
测试电流 5mA
端接类型 Axial
Ir - Reverse Current 1 uA
品牌 Fairchild Semiconductor
Zz - Zener Impedance 40 Ohms
身高 1.91 mm
长度 4.56 mm
Pd - Power Dissipation 500 mW
测试电流 5 mA
Vz - Zener Voltage 5.6 V

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