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厂商型号:

BSP50

芯天下内部编号:
3-BSP50
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 4SOT-223
配置 Single Dual Collector
类型 NPN
最大集电极发射极电压 45 V
峰值直流集电极电流 0.8 A
最小直流电流增益 1000@150mA@10V|2000@500mA@10V
最大集电极发射极饱和电压 1.3@0.5mA@500mA V
最大集电极基极电压 60 V
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 1.9@0.5mA@500mA
标准包装名称 SOT-223
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最大集电极发射极电压 45
Maximum Emitter Base Voltage 5
封装 Tape and Reel
Maximum Continuous DC Collector Current 0.8
最大集电极发射极饱和电压 1.3@0.5mA@500mA
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 SOT-223
最低工作温度 -55
铅形状 Gull-wing
引脚数 4
最大功率耗散 1000
电流 - 集电极( Ic)(最大) 800mA
晶体管类型 NPN - Darlington
安装类型 Surface Mount
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.3V @ 500µA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 50nA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SOT-223-4
功率 - 最大 1W
封装/外壳 TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 2000 @ 500mA, 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BSP50CT
工厂包装数量 4000
产品种类 Transistors Darlington
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
系列 BSP50
直流集电极/增益hfe最小值 1000
集电极最大直流电流 0.8 A
最大集电极截止电流 0.05 uA
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
单位重量 0.006632 oz
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
最低工作温度 - 55 C
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant By Exemption
集电极电流( DC)(最大值) 0.8 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 45 V
集电极 - 发射极饱和电压 1.3 V
发射极 - 基极电压 5 V
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SOT-223
极性 NPN
元件数 1
直流电流增益 1000
工作温度分类 Military
基射极饱和电压(最大值) 1.9 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 0.8 A
高度 1.6mm
最大基极-发射极饱和电压 1.9 V
长度 6.5mm
最大发射极-基极电压 5 V
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大集电极-发射极电压 45 V
最大连续集电极电流 800mA
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 NPN
最大集电极-发射极饱和电压 1.3 V
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 1 W
宽度 3.5mm
尺寸 6.5 x 3.5 x 1.6mm
最小直流电流增益 1000
最大集电极-基极电压 60 V
最大集电极-基极截止电流 50nA
封装类型 SOT-223
引脚数目 3 + Tab
晶体管配置
身高 1.6 mm
长度 6.5 mm
品牌 Fairchild Semiconductor

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