fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 峰值直流集电极电流 | 8 A |
| 最小直流电流增益 | 750@3A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@12mA@3A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 2.5@12mA@3A |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Rail |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 8 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@12mA@3A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 100 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 60000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 8A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 2V @ 12mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 功率 - 最大 | 60W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 3A, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 系列 | BDX54C |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 750 |
| 集电极最大直流电流 | - 8 A |
| 最大集电极截止电流 | - 200 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 100 V |
| 单位重量 | 0.063493 oz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 60 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 100 V |
| 零件号别名 | BDX54CTU_NL |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 8 A |
| 封装类型 | TO-220 |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大集电极-基极截止电流 | -500 μA, -200 μA |
| 安装类型 | 通孔 |
| 最大连续集电极电流 | -8 A |
| 最大集电极-发射极电压 | -100 V |
| 高度 | 15.95mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -2.5 V |
| 最大功率耗散 | 60 W |
| 宽度 | 4.5mm |
| 尺寸 | 9.9 x 4.5 x 15.95mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 750 |
| 长度 | 9.9mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -2 V |
| 最大集电极-基极电压 | -100 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 60 W |
| 身高 | 9.4 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 长度 | 10.1 mm |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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