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厂商型号:

BCW66G

芯天下内部编号:
3-BCW66G
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SOT-23
类型 NPN
引脚数 3
最大集电极发射极电压 45 V
集电极最大直流电流 1 A
最小直流电流增益 50@100uA@10V|110@10mA@1V|160@100mA@1V|60@500mA@2V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@10mA@100mA|0.7@50mA@500mA V
最大集电极基极电压 75 V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 350 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 1
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 350
Maximum Emitter Base Voltage 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 75
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 45
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1A
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 700mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) 20nA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 45V
供应商设备封装 SOT-23-3
功率 - 最大 350mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 160 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BCW66GCT
工厂包装数量 3000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
零件号别名 BCW66G_NL
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 160
直流电流增益hFE最大值 400
单位重量 0.002116 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 45 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 0.7 V
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 1 A
增益带宽产品fT 170 MHz
系列 BCW66G
集电极 - 基极电压VCBO 75 V
最低工作温度 - 55 C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo :45V
Transition Frequency ft :100MHz
功耗 :350mW
DC Collector Current :1A
DC Current Gain hFE :160
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces :700mV
Current Ic Continuous a Max :500mA
Gain Bandwidth ft Typ :100MHz
Hfe Min :160
工作温度范围 :-55°C to +150°C
端接类型 :SMD
Weight (kg) 0.000008
Tariff No. 85412100

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