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fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 65 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 | 200@2mA@5V |
| 最大工作频率 | 150(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA V |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| Categoria | Bipolar Small Signal |
| Guadagno二科伦特直流Minimo浏览 | 200@2mA@5V |
| Dissipazione massima della potenza | 500 |
| 符合UE | Compliant |
| Tensione di base massima del collettore | 80 |
| TIPO | PNP |
| 诺姆标准苏拉confezione | TO-92 |
| Tensione massima dell'emittente del collettore | 65 |
| Massima temperatura d'esercizio | 150 |
| Frequenza di transizione massima | 150(Typ) |
| Temperatura d'esercizio minima | -65 |
| Confezione | Tape and Reel |
| 经conduttore | Formed |
| 每个芯片NUMERO二培元 | 1 |
| Confezione fornitore | TO-92 |
| Corrente massima DC del collettore | 0.1 |
| Tensione base massima dell'emittente | 5 |
| NUMERO DEI针 | 3 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 650mV @ 5mA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 65V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 2mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 5 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 110 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800 |
| 单位重量 | 0.006279 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | - 65 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | - 250 mV |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | - 0.1 A |
| 增益带宽产品fT | 150 MHz |
| 系列 | BC556B |
| 集电极 - 基极电压VCBO | - 80 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.1 A |
| 集电极 - 基极电压（最大值） | 80 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 65 V |
| 发射极 - 基极电压（最大值） | 5 V |
| 频率（最大） | 150 MHz |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-92 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 200@2mA@5V |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益（最小值） | 200 |
| 集电极 - 基极电压 | 80 V |
| 集电极 - 基极电压（最大值） | 80 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 150 MHz |
| 删除 | Compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.1 A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 15nA (ICBO) |
| 其他名称 | BC556BTFRCT |
| 最高工作频率 | 10 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 0.1 A |
| 长度 | 5.2mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | 通孔 |
| 高度 | 5.33mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -800 V |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 宽度 | 4.19mm |
| 封装类型 | TO-92 |
| 最大集电极-发射极电压 | 65 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 110 |
| 尺寸 | 5.2 x 4.19 x 5.33mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -650 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | -80 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 身高 | 5.33 mm |
| 长度 | 5.2 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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