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fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 A |
| 最小直流电流增益 | 200@2mA@5V |
| 最大工作频率 | 300(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.1 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 300(Typ) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 30 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 铅形状 | Formed |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 100mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 300MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 200 @ 2mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 110 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800 |
| 单位重量 | 0.006279 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 200 mV |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.1 A |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 系列 | BC549 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 其他名称 | BC549BTFCT |
| 最高工作频率 | 1 MHz |
| 最大直流集电极电流 | 0.1 A |
| 长度 | 4.58mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | 通孔 |
| 高度 | 4.58mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | 900 mV |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 宽度 | 3.86mm |
| 封装类型 | TO-92 |
| 最大集电极-发射极电压 | 30 V |
| 引脚数目 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 110 |
| 尺寸 | 4.58 x 3.86 x 4.58mm |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大发射极-基极电压 | 5 V |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | 600 mV |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-基极电压 | 30 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 身高 | 5.33 mm |
| 长度 | 5.2 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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