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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum DC Collector Current | 0.8 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Transition Frequency | 100(Typ) |
| 包装宽度 | 4.19(Max) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 625 |
| 类型 | PNP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 5.2(Max) |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 100@100mA@1V|60@300mA@1V |
| 包装高度 | 5.33(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Bulk |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 800mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 700mV @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 625mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :PNP |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :45V |
| Transition Frequency ft | :100MHz |
| 功耗 | :625mW |
| DC Collector Current | :-800mA |
| DC Current Gain hFE | :100 |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :-700mV |
| 连续集电极电流Ic最大 | :1A |
| Current Ic Continuous a Max | :1A |
| Current Ic hFE | :100mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :100MHz |
| Hfe Min | :100 |
| No. of Transistors | :1 |
| 引脚配置 | :f |
| Power Dissipation Ptot Max | :625mW |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Voltage Vcbo | :50V |
| Weight (kg) | 0.0002 |
| Tariff No. | 85411000 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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