Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 最小直流电流增益 | 70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@... |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极基极电压 | 45 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Package Height | 7.87(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Bulk |
| PCB | 3 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 3.93(Max) |
| 供应商封装形式 | TO-226 |
| Package Length | 4.7(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 35 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 100MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 35V |
| 供应商设备封装 | E-Line (TO-92 compatible) |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 1A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 45 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 35 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 功率耗散 | 1 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-226 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 70 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极电流（DC ） | 2 A |
| 直流电流增益 | 70 |
| 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 500mV @ 200mA, 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1A, 2V |
| 封装/外壳 | E-Line-3 |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 35V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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