图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| IGBT 型 | - |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 12A |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 23A |
| 功率 - 最大 | 100W |
| Input 型 | Standard |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220 |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 23 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-220 |
| 最大栅极发射极电压 | ±20 |
| 最大连续集电极电流 | 23 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Rail |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 最大功率耗散 | 100000 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 栅极电荷 | 49nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 23A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 开关能量 | 250µJ |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 17ns/60ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.6V @ 15V, 12A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 反向恢复时间（trr ） | 42ns |
| 功率 - 最大 | 100W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 测试条件 | 300V, 12A, 23 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲（ ICM ） | 92A |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2.1 V |
| 产品种类 | IGBT Transistors |
| 栅极 - 射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 连续集电极电流Ic最大 | 23 A |
| 连续集电极电流在25 C | 23 A |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 单位重量 | 0.063493 oz |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 100 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 零件号别名 | SGP23N60UFDTU_NL |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 23 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 600 V |
| 包装类型 | TO-220 |
| 工作温度（最大） | 150C |
| 工作温度（最小值） | -55C |
| 工作温度分类 | Military |
| Gate to Emitter Voltage (Max) | �20 V |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 23 A |
| 输入类型 | Standard |
| 测试条件 | 300V, 12A, 23 Ohm, 15V |
| 电流 - 集电极脉冲 （Icm） | 92A |
| 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.6V @ 15V, 12A |
| Td (on/off) A 25°C | 17ns/60ns |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 反向恢复时间 (trr) | 60ns |
| 闸极电荷 | 49nC |
| 功率 - 最大值 | 100W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 23A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 10.1 mm |
| 连续集电极电流 | 23 A |
| 系列 | SGP23N60UFD |
| 身高 | 9.4 mm |
| Pd - Power Dissipation | 100 W |
| 技术 | Si |
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