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厂商型号

SGL160N60UFTU 

产品描述

IGBT Transistors 600V/80A/2.0V

内部编号

3-SGL160N60UFTU

#1

数量:296
1+¥72.1188
25+¥66.9564
100+¥64.1826
500+¥61.64
1000+¥58.558
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SGL160N60UFTU产品详细规格

Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 25
IGBT 型 -
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 80A
- 集电极电流(Ic)(最大) 160A
功率 - 最大 250W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 SC-94
供应商器件封装 TO-3PF
包装材料 Tube
供应商封装形式 TO-264
最大栅极发射极电压 ±20
最大连续集电极电流 160
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
渠道类型 N
封装 Rail
最大集电极发射极电压 600
最大功率耗散 250000
最低工作温度 -55
引脚数 3
栅极电荷 345nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 160A
安装类型 Through Hole
标准包装 25
开关能量 4260µJ
时间Td(开/关) @ 25°C 40ns/90ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.6V @ 15V, 80A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-3PF
功率 - 最大 250W
输入类型 Standard
封装/外壳 SC-94
测试条件 300V, 80A, 3.9 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 300A
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 160 A
集电极 - 发射极电压 600 V
安装 Through Hole
包装类型 TO-264
工作温度(最大) 150C
工作温度(最小值) -55C
工作温度分类 Military
配置 Single
Gate to Emitter Voltage (Max) �20 V
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 160 A

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