图片仅供参考,产品以实物为准
| Status | Obsolete |
| RoHS | No |
| 输出设备 | Phototransistor |
| 槽宽 | 5 mm |
| 光圈宽度为0.5mm | 0.5 mm |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 最大集电极电流 | 20 mA |
| 正向电流 | 60 mA |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 封装 | Tube |
| 下降时间 | 4 us |
| 功率耗散 | 150 mW |
| 上升时间 | 4 us |
| 检测方法 | Transmissive, Slotted |
| 波长 | 940 nm |
| 寿命 | Obsolete |
QVE00832_Q相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家